バタフライレーザー

高速光通信および光干渉断層撮影（OCT）において、レーザーの性能は基本的な物理的限界まで押し上げられています。

レーザー波長、出力光パワー、効率、および寿命はすべて、温度に強く依存します。

典型的な波長ドリフトは約0.1 nm／℃です。

精密な温度制御がなければ、わずかな熱変動でも以下のような問題を引き起こす可能性があります：

1. DWDMシステムにおける波長ドリフトおよびチャネル間干渉（クロストーク）

2. ビットエラー率（BER）の増加

3. 光出力の不安定化および変調効率の低下

4. デバイスの劣化加速および寿命の短縮

TECをバタフライパッケージ内部に直接統合し、DFB／EML／SLDチップと熱的に結合することで、レーザーの動作点を能動的にロックできます。主な性能向上点は以下の通りです：1．温度安定性が±0.01℃未満 2．波長安定性が±0.001 nmレベルに達し、0.4 nm間隔までのDWDM要件を満たす 3．閾値電流および勾配効率が安定→光学出力パワーの一貫性確保 4．接合部温度の低減→デバイス寿命を大幅に延長 5．高速な熱応答→通電後の迅速な安定化

1. 固体式・無振動動作→光学ノイズへの影響なし

2. バタフライ・パッケージ内へのコンパクトな統合→高密度モジュールに最適

3. 精密なクローズドループ温度制御→再現性の高いレーザー特性

4. 低熱抵抗設計→レーザー接合部からの効率的な放熱

5. 通信機器レベルの信頼性→25年間のシステム寿命目標をサポート

以下に示すモデルは、バタフライレーザー用途で一般的に使用される単段型TECおよびマイクロ単段型TECの代表例です。これらは参考および比較用として提供されており、製品全リストを示すものではありません。